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  • 貼片薄膜電阻2010

    薄膜電阻2010

    薄膜電阻器是用蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成,具有均勻厚度薄膜電阻的量度。

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    產品介紹

    技術參數

    產品型號

    薄膜電阻器是用蒸發的方法將一定電阻率材料蒸鍍于絕緣材料表面制成,具有均勻厚度薄膜電阻的量度。通常被用作評估半導體摻雜的結果。這種工藝的例子有:參雜半導體領域(比如硅或者多晶硅),以及被絲網印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻

    薄膜電阻分類:

    1碳膜電阻器

    碳膜電阻碳膜電阻(碳薄膜電阻)為最早期也最普遍使用的電阻器,利用真空噴涂技術在瓷棒上面噴涂一層碳膜,再將碳膜外層加工切割成螺旋紋狀,依照螺旋紋的多寡來定其電阻值,螺旋紋愈多時表示電阻值愈大。最后在外層涂上環氧樹脂密封保護而成。其阻值誤差雖然較金屬皮膜電阻高,但由于價錢便宜。碳膜電阻器仍廣泛應用在各類產品上,是目前電子,電器,設備,資訊產品之最基本零組件。

    2金屬膜電阻器

    金屬膜電阻金屬膜電阻(金屬拍攝電阻)同樣利用真空噴涂技術在瓷棒上面噴涂,只是將炭膜換成金屬膜(如鎳鉻) ,并在金屬膜車上螺旋紋做出不同阻值,并且于瓷棒兩端度上貴金屬。雖然它較碳膜電阻器貴,但低雜音,穩定,受溫度影響小,精確度高成了它的優勢。因此被廣泛應用于高級音響器材,電腦,儀表,國防及太空設備等方面。

    3金屬氧化膜電阻

    某些儀器或裝置需要長期在高溫的環境下操作,使用一般的電阻會未能保持其安定性。在這種情況下可使用金屬氧化膜電阻(金屬氧化膜電阻化物薄膜電阻器) ,它是利用高溫燃燒技術于高熱傳導的瓷棒上面燒附一層金屬氧化薄膜(用錫和錫的化合物噴制成溶液,經噴霧送入500~500℃的恒溫爐,涂覆在旋轉的陶瓷基體上而形成的。材料也可以氧化鋅等) ,并在金屬氧化薄膜車上螺旋紋做出不同阻值,然后于外層噴涂不燃性涂料。其性能與金屬膜電阻器類似,但電阻值范圍窄。它能夠在高溫下仍保持其安定性,其典型的特點是金屬氧化膜與陶瓷基體結合的更牢,電阻皮膜負載之電力亦較高。耐酸堿能力強,抗鹽霧,因而適用于在惡劣的環境下工作。它還兼備低雜音,穩定,高頻特性好的優點。

    4合成膜電阻器

    將導電合成物懸浮液涂敷在基體上而得,因此也叫漆膜電阻。

    由于其導電層呈現顆粒狀結構,所以其噪聲大,精度低,主要用他制造高壓, 高阻, 小型電阻器

    薄膜電阻和厚膜電阻的區別是:其一是膜厚的區別,厚膜電路的膜厚一般大于10μm,薄膜的膜厚小于10μm,大多處于小于1μm;其二是制造工藝的區別,厚膜電路一般采用絲網印刷工藝,薄膜電路采用的是真空蒸發、磁控濺射等工藝方法。

    體積:2010(4824)

    阻值:10R-1MR

    誤差:±0.1%±0.5% ±1%

    溫度系數:10PPM/25PPM/50PPM

    功率:3/4W

    2010 3/4W ±0.5% 10R

    2010 3/4W ±0.5% 120K

    2010 3/4W ±0.5% 12R

    2010 3/4W ±0.5% 16R

    2010 3/4W ±0.5% 180R

    2010 3/4W ±0.5% 18K

    2010 3/4W ±0.5% 1K3

    2010 3/4W ±0.5% 1K5

    2010 3/4W ±0.5% 1M5

    2010 3/4W ±0.5% 200K

    2010 3/4W ±0.5% 200R

    2010 3/4W ±0.5% 220K

    2010 3/4W ±0.5% 240R

    2010 3/4W ±0.5% 270K

    2010 3/4W ±0.5% 2R0

    2010 3/4W ±0.5% 2R7

    2010 3/4W ±0.5% 30R

    2010 3/4W ±0.5% 330R

    2010 3/4W ±0.5% 33R

    2010 3/4W ±0.5% 39K

    2010 3/4W ±0.5% 430K

    2010 3/4W ±0.5% 470R

    2010 3/4W ±0.5% 47K

    2010 3/4W ±0.5% 4K3

    2010 3/4W ±0.5% 56R

    2010 3/4W ±0.5% 5K1

    2010 3/4W ±0.5% 5K6

    2010 3/4W ±0.5% 5R6

    2010 3/4W ±0.5% 68R

    2010 3/4W ±0.5% 7K5

    2010 3/4W ±0.5% 8R2

    2010 3/4W ±0.1% 82K

    2010 3/4W ±0.1% 100K

    2010 3/4W ±0.1% 150R

    2010 3/4W ±0.1% 15R0

    2010 3/4W ±0.1% 1K07

    2010 3/4W ±0.1% 1R3

    2010 3/4W ±0.1% 20R0

    2010 3/4W ±0.1% 220R

    2010 3/4W ±0.1% 2K49

    2010 3/4W ±0.1% 300R

    2010 3/4W ±0.1% 330R

    2010 3/4W ±0.1% 3K3

    2010 3/4W ±0.1% 40R2

    2010 3/4W ±0.1% 470K

    2010 3/4W ±0.1% 47K

    与子的性关系真实过程
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